玻璃覆銅基板（Glass-Clad Copper Substrate，簡(jiǎn)稱(chēng)GCC）是一種以特種玻璃為基材、表面覆銅的新型高性能電子基板材料。其結(jié)合了玻璃的優(yōu)異物理特性與銅的高導(dǎo)電性，廣泛應(yīng)用于高頻通信、半導(dǎo)體封裝、先進(jìn)封裝（如FCBGA、FOWLP）、微電子機(jī)械系統(tǒng)（MEMS）等領(lǐng)域，是5G通信、人工智能芯片、車(chē)載雷達(dá)等高端電子設(shè)備的關(guān)鍵基礎(chǔ)材料。
一、產(chǎn)品結(jié)構(gòu)與組成
1.1 基礎(chǔ)結(jié)構(gòu)
核心層：超薄玻璃基板（厚度50-300μm），常用材料包括鈉鈣玻璃、硼硅酸鹽玻璃或石英玻璃
金屬層：電解銅箔或?yàn)R射銅層（厚度5-35μm），表面粗糙度Ra≤0.5μm
結(jié)合層：通過(guò)磁控濺射、化學(xué)氣相沉積（CVD）或等離子活化工藝形成的過(guò)渡層（如Cr/Cu或Ti/Cu復(fù)合層）
1.2 典型技術(shù)參數(shù)
參數(shù)項(xiàng) | 指標(biāo)范圍 | 測(cè)試標(biāo)準(zhǔn) |
介電常數(shù)（@10GHz） | 5.4-6.7 | IPC-TM-650 2.5.5.5 |
熱膨脹系數(shù)（CTE） | 3.2-7.5 ppm/℃ | ASTM E831 |
導(dǎo)熱系數(shù) | 1.1-1.5 W/(m·K) | ASTM D5470 |
抗彎強(qiáng)度 | >200 MPa | JIS R1601 |
表面平整度 | <5μm/100mm | ISO 10110-5 |
二、核心特性與優(yōu)勢(shì)
2.1 高頻性能優(yōu)勢(shì)
低介電損耗：tanδ<0.002 @10GHz（傳統(tǒng)FR-4基板tanδ≈0.02）
信號(hào)完整性：特征阻抗控制精度±3%，適合28GHz以上毫米波應(yīng)用
電磁屏蔽：銅層連續(xù)覆蓋率>99.9%，抑制電磁干擾（EMI）
2.2 熱機(jī)械特性
尺寸穩(wěn)定性：熱膨脹系數(shù)（CTE）與硅芯片（2.6 ppm/℃）高度匹配
耐高溫性：玻璃化轉(zhuǎn)變溫度（Tg）>500℃，支持回流焊（260℃）工藝
機(jī)械強(qiáng)度：楊氏模量70-90GPa，是FR-4基板的3-5倍
2.3 工藝兼容性
微細(xì)線路加工：支持線寬/線距≤15μm的精細(xì)線路蝕刻
多層堆疊：可通過(guò)激光鉆孔實(shí)現(xiàn)微孔（孔徑≤50μm）互連
表面處理：兼容ENIG（化學(xué)鎳金）、OSP（有機(jī)保焊膜）等工藝
三、主要應(yīng)用領(lǐng)域
3.1 高頻通信設(shè)備
5G基站：Massive MIMO天線陣列基板
毫米波雷達(dá)：77GHz車(chē)載雷達(dá)射頻前端
衛(wèi)星通信：Ka波段（26.5-40GHz）相控陣模塊
3.2 先進(jìn)半導(dǎo)體封裝
2.5D/3D封裝：硅中介層（Interposer）替代方案
Chiplet集成：異構(gòu)芯片互連的再布線層（RDL）
光電子封裝：激光器/探測(cè)器共封裝（CPO）基板
3.3 特種電子設(shè)備
高功率LED：低熱阻COB（Chip on Board）基板
航空航天電子：抗輻射星載計(jì)算機(jī)主板
醫(yī)療影像設(shè)備：CT探測(cè)器陣列支撐基板
四、制造工藝流程
4.1 核心工藝步驟
玻璃基板預(yù)處理：
激光切割（皮秒激光精度±5μm）
化學(xué)強(qiáng)化（K+離子交換，表面壓應(yīng)力>700MPa）
等離子清洗（Ar/O?混合氣體，接觸角<5°）
金屬化處理：
磁控濺射沉積阻擋層（Ti/Cr，厚度50-100nm）
電鍍?cè)龊胥~層（酸性硫酸銅體系，沉積速率2-5μm/min）
圖形化蝕刻（干膜光刻+微蝕刻，側(cè)壁角度85-90°）
后處理工藝：
黑氧化處理（CuO層厚度0.3-0.8μm）
表面鈍化（苯并三唑類(lèi)緩蝕劑涂覆）
激光打標(biāo)（二維碼追溯系統(tǒng)）
4.2 質(zhì)量控制關(guān)鍵點(diǎn)
缺陷檢測(cè)：AOI（自動(dòng)光學(xué)檢測(cè)）系統(tǒng)識(shí)別≥5μm的銅層缺陷
可靠性測(cè)試：
熱循環(huán)測(cè)試：-55℃~+125℃ 1000次循環(huán)（IPC-9701）
高壓蒸煮試驗(yàn)：121℃/100%RH/2atm 96小時(shí)（JEDEC JESD22-A102）
離子遷移測(cè)試：85℃/85%RH/5V DC 1000小時(shí)（IPC-TM-650 2.6.14）
